固态硬盘101
既然是101， 那就先从概念讲起吧.
固态硬盘（Solid State Disk)，大概分两种：基于FLASH的和基于DRAM的。基于FLASH的，基本都采用NAND FLASH,属于non-volatile, 断电后能保持数据，不许电池保护。DRAM则相反，volatile memory,内部电池和备份存储都是必要的，否则突然断电数据会丢失或败坏。现在SSD主流是NAND FLASH。NAND FLASH, 就两种：SLC 和MLC。SLC 是single level cell的缩写。根据阿南德同学的描述，一个cell就是一个N-channel MOSFET 的晶体管。SLC的FLASH，一个cell存一比特(bit)数据。MLC 就是multi-level cell，一个cell存两比特数据。由于MLC和SLC的cell都用一种晶体管，实际上MLC就比SLC多存一倍的数据。
数据如何写进cell的呢？ 简单的讲，就是给cell加不同的电压。MLC存两比特，有四个电压要控制。SLC只要控制两个电压。因此SLC比MLC要快。（好像越简单才能越快的道理在存储上也越来越普遍，比如传统的parallel SCSI现在都要被SAS取代） FLASH上的数据，由一堆cell组成page, page是对NAND FLASH device写操作的最小单位。大部分MLC上page大小是4KB。一堆page,组成一个block。block 是flash上进行erase操作的最小单位。Intel MLC上一个block有128page,一个block就有512KB.由于写和擦除在最小单位上的不对称性（4K VS。512K），SSD 一般避免频繁擦除。想删除数据时只设标志（some kind of invalid）,只有当一个block里面invalid标志超过一定限度，才把有效数据拷到新page, 然后删除该block.
flash 写和擦除是有限度的：MLC--10000 erase cycles；SLC--100000 erase cycles。超过这个限度，你就没法再写和擦了。尽管该限度是物理特性, 对一整块flash来说还是有算法来延长其寿命的，比如说wear leveling. wear leveling 实际上就是让一块flash上所有的cell来共同承担erase. 如果没有wear leveling, flash 上的某些cell可能很快就到达10000次的极限：尽管其他大部分cell还没怎么wear, 这块flash也就不能用了。wear leveling 通过“均贫富”的方式来延长flash 的寿命。 关于SSD的基本概念就这么多了。我后面的博客会讲Solaris对SSD的支持。
References:
- http://www.anandtech.com/cpuchipsets/intel/showdoc.aspx?i=3403
- This one is very informative despite its pro-intel stance. If the data shown is true then the intel X25-M is really a good buy for consumer-grade MLC SSD.
- http://en.wikipedia.org/wiki/Solid_state_disk
- One of the interesting things mentioned is that StorageTek (now part of Sun) developed the first modern type of solid state drive, back in 1978. That is 30 years ago, with a mere capacity of 1MB.
